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2.4 GHz High-Power, High-Gain Power Amplifier
A Microchip Technology Company
SST12LP15
Not Recommended for New Designs
Table 4: AC Electrical Characteristics for Configuration
Symbol
F L-U
Parameter
Frequency range
Min.
2400
Typ
Max.
2485
Unit
MHz
Output power
P OUT
@ PIN = -10 dBm 11b signals
@ PIN = -11 dBm 11g signals
25
24
dBm
dBm
G
Small signal gain
35
36
dB
G VAR1
G VAR2
Stability
Output
VSWR
Gain variation over band (2400~2485 MHz)
Gain ripple over channel (20 MHz)
Spurious output@ 25.5 dBm
54 Mbps OFDM signal when VSWR=6:1 all angle
Survivable time@ 25.5 dBm (to 50 ? )
54 Mbps OFDM signal when VSWR=10:1 all angle
10
0.2
±0.5
-60
dB
dB
dBc
second
Rugged-
ness
ACPR
Added EVM
2f, 3f, 4f, 5f
Meet 11b spectrum mask
Meet 11g OFDM 54 MBPS spectrum mask
@ 23.5 dBm output with 11g OFDM 54 MBPS sig-
nal
Harmonics at 22 dBm, without trapping capacitors
24
24
25
4
-40
dBm
dBm
%
dBc
T4.0 75030
?2011 Silicon Storage Technology, Inc.
6
DS75030A
10/11
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